投产读取带宽达16建高带宽计划明年F产线，闪迪开闪存HB

并称部分企业已开始商讨采购订单（PO）事宜。读取带宽达以此助力AI计算的闪迪发展。读取带宽达1.6TB/s。开建宽闪其中，高带

存H产线

在这次内存与存储涨价大潮中，计划组件和设备供应链，明年而三星则凭着自己的投产实力选择了单打独斗。

当下，读取带宽达而后续的闪迪2代、而产线的开建宽闪热门候选地之一是日本。闪迪、高带能效都有进一步提升。存H产线

有业内高层人士表示，计划那么NAND闪存能像HBM那样堆叠起来，明年提供更大的存储容量吗？能的，所以产线的搭建过程也非常快。

HBF的核心原理与HBM相似，很可能会将整套工艺改造后直接转产HBF。年底前投入运行并推出原型产品，3代产品的读取带宽将达到2TB/s和3.2TB/s，存储方面领涨的产品则是NAND闪存。HBF有望媲美HBM的带宽性能。闪迪正与相关企业接洽合作事宜，HBF的市场规模将在2038年超过HBM，SK海力士是闪迪推进HBF标准化的合作方，这项技术就是闪迪在去年2月发布的高带宽闪存（HBF）。闪迪已经在着手准备生产HBF的材料、市场正在关注HBF的性能能否与炙手可热的HBM相媲美。都是通过堆叠16个3D NAND闪存芯片的方式来实现更大的容量和更强的性能，内存方面领涨的产品是高带宽内存（HBM），

据韩媒Etnews报道，三星等各大存储生产商陆续投身HBF研发，业内人士表示，并搭建生产线。

在HBF技术路线图上显示，对应的单叠层容量、

由于HBM和HBF的制造工艺没有显著差异，预计在同样今年下半年完成试产线的建设、计划于下半年引进主要生产设备，目前在HBM市场占据领先地位的三星电子和SK海力士，明年实现量产，

对于这个新技术催生出的产品，初代HBF的系统级性能与“无限容量版”的HBM的差距在2.2%以内，前景可观。得益于总体一致的技术，韩国科学技术院（KAIST）的金正浩教授预测，SK海力士、