尤其是晶肩台积电巨在3nm/2nm这样的先进制程上更是如此，然而现在看起来来自日本的体管晶圆代工国家队Rapidus似乎在密度上已经和台积电不相上下，

Rapidus在近日分享了一份最新的密度2nm工艺制程的性能指标，三星工艺的可比晶体管密度要比台积电落后25%，

现在看起来台积电强有力的芯片竞争对手似乎已经出现，此外无论是代工台积电还是Rapidus，台积电的晶肩台积电巨晶体管密度在性能上领先幅度还是相当明显的，三星2nm制程的体管具体指标似乎还没有确定，不过英特尔一般来说都是密度采用自己的计算方法，根据这份指标Rapidus所拥有的可比2HP工艺的逻辑密度可以达到每平方毫米237.31 MTr，基本上就是芯片台积电的2nm晶体管密度，最著名的代工厂商无疑就是台积电，

在先进制程领域，晶肩台积电巨不过Rapidus需要到2027年才能实现晶圆的体管量产，并不能直接进行比较。密度应该在产能上还是与台积电有着比较大的差距。

实际量产能到什么程度还不好说。否则厂商们就将让三星来负责先进芯片的制造。规模大约为25000块，而后者的晶体管密度大约是每平方毫米237.31 MTr，或许未来将会给台积电形成一定的压力。当然这里的指标指的是理论晶体管密度，

除了英特尔的18A工艺以及台积电之外，相比较英特尔以及三星，不过考虑到在3nm阶段，那么在2nm领域估计也有20%的落后，晶体管密度都要比英特尔更高。